设置

关灯

大

中

小

第644章 646章:量子退相干 (8 / 8)

《关闭小说畅读模式体验更好》

        增加退相干时间是量子芯片技术的难点,也是陈默现在正在研究解决的问题之一。

        除了延长量子比特退相干时间、实现自旋量子比特的制备,测量和操控,也是陈默现在研究的课题。

        陈默从科技图书馆内得到的技术理论中,超导量子干涉,是现有他能用于操控微观量子态最好的理论技术。

        此外,还有操控精度上,需要突破容错量子阈值,量子芯片才有可能成功。

        为保证可拓展量子计算有效进行,逻辑操作的错误发生率不能超过10量级,为了实现这种容错率,陈默选择用拓扑量子纠错作为研究方向。

        利用量子态的拓扑性质,用于量子纠错过程。

        科技图书馆种得到的量子资料上,有记载这种理论,现实科学中也有类似的拓扑量子纠错理论,这是现有技术可以实现的最高容错率量子计算方案。

        “去一趟实验室。”

        陈默从平台上站起来,让墨女存储好量子芯片设计的资料,朝量子实验室过去。现在不确定方法可不可行,他需要用实验来验证自己的想法和思路。

        【本章阅读完毕,更多请搜索读吧文学;http://m.nbxszp.com 阅读更多精彩小说】